金屬氧化物及碳化硅避雷器對陡波頭長波電流脈沖的響應-《電瓷
金屬(shu)氧(yang)化物碳化硅避雷器電(dian)力電(dian)纜電(dian)壓響應過沖保護(hu)性能殘壓測試(shi)回路相近似電(dian)流脈沖。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光-豆丁網
2005脈沖(chong)激光(guang)退火納米碳化硅的光(guang)致(zhi)發(fa)光(guang)于威(wei),何(he)杰,孫運濤,韓(han)理(li),在(zai)電流(liu)激發(fa)方面存(cun)在(zai)較大困(kun)難,因此對碳化硅發(fa)光(guang)材料的制(zhi)備及發(fa)光(guang)特性進行分析對。
脈沖電沉積納米鎳一碳化硅復合鍍層的性能_百度文庫
河北大學(xue)碩士學(xue)位論文納米碳化硅(gui)的(de)脈(mo)沖激光(guang)燒蝕沉積及其光(guang)學(xue)特(te)性研究姓名:孫運濤(JFET,可達(da)到電(dian)流水平400mA/mm,電(dian)導(dao)的(de)指標lOOmS/mm)以及用6H—SiC制作(zuo)的(de)金屬。
納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究-碩士論文-道
2008年5月(yue)9日-1998年已有(you)頻率1.3GHz,脈沖(chong)輸出功(gong)率400W的報道[;。2.2碳(tan)(tan)化硅功(gong)率雙極與碳(tan)(tan)化硅功(gong)率MOS相(xiang)比(bi),對3000V以(yi)上的阻(zu)斷電(dian)壓,其(qi)通(tong)態電(dian)流密度可以(yi)高出幾(ji)個。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
[圖文]2007年5月28日(ri)-從而具有非常高的(de)(de)浪(lang)涌電流承受能(neng)力和(he)穩定的(de)(de)過(guo)(guo)壓(ya)中的(de)(de)PFC級應用在(zai)瞬時(shi)脈沖和(he)過(guo)(guo)壓(ya)狀態下具有更(geng)高利用具有獨(du)特性能(neng)的(de)(de)碳(tan)化硅作(zuo)為器件材料(liao),能(neng)制造出。
適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管-應用-電子工程世界網
高頻脈沖電鍍(du)(du)Ni-Co-SiC耐蝕性耐磨(mo)性陽極極化結構研(yan)究了(le)電源頻率、占空(kong)比、陰極電流密(mi)度及(ji)鍍(du)(du)液中鈷1袁(yuan)逖;高頻脈沖電沉積(ji)鎳鈷碳化硅鍍(du)(du)層耐蝕性耐磨(mo)。
高頻脈沖電沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐蝕性耐磨性的研究-《北京交通
正采用60m長的(de)(de)138kV電(dian)力(li)電(dian)纜產生的(de)(de)幾(ji)十(shi)萬伏、2萬安以上的(de)(de)電(dian)流、波頭時間約(yue)50ns的(de)(de)脈沖(chong)。被試品為9kV金屬氧化物及碳化硅(gui)避雷器。避雷器的(de)(de)電(dian)壓(ya)響應包括(kuo)陡(dou)的(de)(de)過沖(chong)電(dian)壓(ya)。
碳化硅避雷器-學術百科-知網空間
2013年(nian)1月(yue)30日-美國陸軍研究人員正在(zai)向(xiang)行業(ye)尋(xun)求(qiu)開(kai)發進(jin)的(de)碳化硅(gui)(SiC)半導體功率電(dian)子技術種高等級配置的(de)高壓開(kai)關,脈沖電(dian)壓15000V,小電(dian)壓10000V,電(dian)流峰值30A,。
美國陸軍尋求下一代碳化硅軍用高壓開關設備-中新網
采用XeCl準(zhun)分子脈(mo)沖(chong)激光(guang)(guang)退火(huo)技術制備了納米(mi)晶態碳化(hua)硅薄膜(mo)(nc—SiC),并對薄膜(mo)的光(guang)(guang)致(zhi)發光(guang)(guang)(PL)特性進(jin)行了分析。結果表明,納米(mi)SiC薄膜(mo)的光(guang)(guang)致(zhi)發光(guang)(guang)表現為300-600nm.范圍。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光
[圖文]V為(wei)(wei)驅(qu)(qu)動(dong)脈沖(chong)電壓,驅(qu)(qu)動(dong)電流為(wei)(wei)脈沖(chong)電流.V為(wei)(wei)驅(qu)(qu)動(dong)脈沖(chong)電壓,驅(qu)(qu)動(dong)電流為(wei)(wei)脈沖(chong)電流.收藏此(ci)頁(ye)推薦給好友09-23[技術(shu)資訊(xun)]碳化(hua)硅在高溫范圍內(nei)具有低(di)開關損耗的MOSFE。
紅外發光二極管的直流脈沖電流驅動_電路圖-華強電子網
[圖文(wen)]這種改進的過壓和(he)浪涌電(dian)流能力可以使(shi)二極管的壓力減小,使(shi)應用(yong)具有(you)更高(gao)的可靠(kao)性。SiC肖特基二極管——適合各種供電(dian)條件(jian)的解決(jue)方(fang)案利用(yong)具有(you)獨特性能的碳化(hua)硅作為器件(jian)。
適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管-新品推薦-行業資訊==
論文天下提供(gong)的(de)<高(gao)頻(pin)脈(mo)沖電(dian)沉積鎳鈷(gu)碳化(hua)硅鍍(du)層耐(nai)(nai)蝕性耐(nai)(nai)磨性的(de)研究;論文包括(kuo)高(gao)頻(pin)脈(mo)沖電(dian)鍍(du)Ni-Co-SiC耐(nai)(nai)蝕性耐(nai)(nai)磨性陽極極化(hua)結(jie)構等其他相關內(nei)容論文。
高頻脈沖電沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐蝕性耐磨性的研究-收費碩士博士
諸(zhu)暨市特耐(nai)工程陶瓷有(you)限(xian)公司碳化硅脈沖類型(xing):脫(tuo)硫除塵器林格曼黑度:3級品(pin)牌:帕特納型(xing)號:碳化硅噴嘴脫(tuo)硫率(lv):97(%)除塵率(lv):96(%)阻力(li)損(sun)失:-(Pa),環球貿易網為(wei)您提供。
脈沖激光退火納米碳化硅薄膜的拉曼散射研究RamanSpectraof
2010年(nian)8月17日(ri)-0405SC-2200M碳(tan)化硅晶(jing)體管(guan),射頻峰值功率達2200瓦,可用于大功率超高頻脈沖系統的(de)(de)另一些優點(dian)包括簡(jian)化阻抗匹配,125伏(fu)的(de)(de)操縱電壓,低(di)電導電流,高峰值。
碳化硅脈沖
溫度脈沖方法制備碳/碳化硅(gui)復合材料界面的微觀結構與(yu)性能研究袁明(ming),黃政仁,董紹明(ming),朱云洲,江東亮中國科學院(yuan)上(shang)海硅(gui)酸(suan)鹽研究所,上(shang)海200050。
Microsemi公司推出用于大功率超高頻脈沖雷達的碳化硅晶體管_兵器
河北大學(xue)碩士學(xue)位論文納米碳(tan)化(hua)硅的脈(mo)沖(chong)激(ji)光燒蝕沉(chen)積及其光學(xue)特(te)性研究姓名:孫運濤(tao)申請(qing)學(xue)位級別(bie):碩士專(zhuan)業:光學(xue)指(zhi)導教師:于威20030101摘(zhai)要本工作(zuo)采用脈(mo)沖(chong)激(ji)光。
溫度脈沖方法制備碳/碳化硅復合材料界面的微觀結構與性能研究
2013年(nian)1月30日(ri)-美國陸(lu)軍(jun)研究人(ren)員(yuan)正在向行(xing)業尋(xun)求(qiu)開發進的(de)碳化硅(SiC)半(ban)導(dao)體功率電子技(ji)術種(zhong)高等級(ji)配置的(de)高壓(ya)開關,脈沖(chong)電壓(ya)15000V,小電壓(ya)10000V,電流峰值30A,。
納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究.pdf-畢業論文-
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[圖文]從而(er)具(ju)(ju)有非常高的(de)浪涌電(dian)流(liu)承(cheng)受能力(li)和(he)穩定(ding)的(de)過(guo)壓特(te)性。網中的(de)PFC級應用在瞬(shun)時(shi)脈(mo)沖和(he)過(guo)壓狀態下具(ju)(ju)有更高的(de)利用具(ju)(ju)有獨特(te)性能的(de)碳(tan)化硅作為器件材料(liao),能制(zhi)造(zao)出接近。
FGD脈沖懸浮泵碳化硅噴嘴脫硫除塵設備-中國供應商
通過(guo)激光脈(mo)沖波(bo)形(xing)與光電流脈(mo)沖波(bo)形(xing)的(de)比較,估算(suan)出2種光導開關的(de)載(zai)流子(zi)壽命(ming)和載(zai)流子(zi)的(de)基(ji)礎上改進設計,研制出了(le)工(gong)作電壓超過(guo)10kV、工(gong)作電流超過(guo)90A的(de)碳化(hua)硅光導。
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鄭州嵩(song)陽(yang)機(ji)械有限公(gong)司提供(gong)多種型號的碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)脈沖(chong)(chong)(chong)除塵(chen)(chen)(chen)設(she)備,廠家直接供(gong)貨價格(ge)優勢明顯,本公(gong)司提供(gong)的碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)脈沖(chong)(chong)(chong)除塵(chen)(chen)(chen)設(she)備,高品質♂碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)脈沖(chong)(chong)(chong)除塵(chen)(chen)(chen)設(she)備♀只(zhi)有嵩(song)陽(yang)機(ji)械。
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影響碳化硅光導開關小導通電阻的因素-論文摘要-中國光學期刊網
2008年9月(yue)26日-這些測試包括(kuo)使用1祍脈沖(chong),開關時間比為1000,在“開”狀態驅(qu)動電(dian)流是(shi)100本文鏈接:碳化硅電(dian)子:全球(qiu)協會提倡SiC高(gao)頻(pin)PI:/news。
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[圖文]GaN器件包含五(wu)項重要(yao)特征:高介(jie)電強度(du)、高工作(zuo)溫度(du)、大電流密度(du)、高開關速度(du),如(ru)何在高效脈沖跳頻模式(shi)下選擇輸出濾波(1)智能電視(shi)前進路上的三座。
碳化硅袋式脈沖除塵器技術,脈沖除塵設備美化高手-選礦設備_買賣
1200V增強型(xing)碳化硅縱向結型(xing)場效應晶體管功率(lv)模塊《電(dian)力(li)電(dian)子(zi)》2011年第4期(qi)開關測試采用(yong)了標(biao)準的雙脈沖感性負(fu)載電(dian)路,在600V、100A、溫度(du)分別為25℃和150。
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1200V增強型碳化硅縱向結型場效應晶體管功率模塊-維普網-倉儲
[圖(tu)文]2012年4月(yue)16日-既(ji)能滿足電(dian)子模塊的(de)正常工作電(dian)流(圖(tu)1中(zhong)的(de)If),也能承受(shou)ISO7637-2脈沖[新品快(kuai)訊(xun)]美高森(sen)美推出碳化硅(SiC)材料和技術的(de)全新1200V肖(xiao)特基二極管。
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[圖文]標簽:600509石墨烯碳化硅背景資(zi)料老孟股票(piao)具(ju)有電荷(he)這種(zhong)性質,電荷(he)的傳導能夠形成電流并成為電子(zi)采用脈沖電子(zi)輻照(zhao)技術在SiC基底上外延(yan)石墨烯是我們。
綠碳化硅脈沖除塵器工作原理,脈沖除塵器發展適生_鄭州嵩陽
二(er)(er):電流(liu)互感器(qi)保護(hu)(hu)用(yong)(yong)于(yu)保護(hu)(hu)電流(liu)互感器(qi)即(ji)CTPU.典(dian)型應(ying)用(yong)(yong)于(yu)互感器(qi)二(er)(er)次過壓保護(hu)(hu),此類(lei)電阻片的(de)(de)靈活(huo)性使其得到廣范應(ying)用(yong)(yong),可用(yong)(yong)于(yu)熒(ying)光燈的(de)(de)尖峰脈(mo)沖抑制(直(zhi)徑為26mm的(de)(de)。
ISO7637-2脈沖3b-根據雪崩性能選擇肖特基二極管-電子發燒友網
(3)從損壞的避(bi)(bi)雷(lei)器閥(fa)(fa)片來看,這(zhe)些避(bi)(bi)雷(lei)器的閥(fa)(fa)片所用的碳(tan)化硅(gui)比較松散,多(duo)半是這(zhe)根電線(xian)(xian)有脈沖電流渡(du)過,這(zhe)時,測定在(zai)配電線(xian)(xian)路的導體上(shang)感應(ying)的電壓波形。相應(ying)的。
600509:石墨烯碳化硅項目的背景資料_孟利寧_新浪博客
2013年8月21日-尤(you)其(qi)是碳化硅微粉(fen)磨的(de)(de)生產加工中,粉(fen)塵外(wai)泄問題為嚴重(zhong),上(shang)海卓亞(ya)礦山(shan)機(ji)械有限公司(si)研究者為其(qi)進行相應的(de)(de)分析與設備的(de)(de)改造(zao)實驗,終得出使用脈沖除塵器的(de)(de)。
M&I碳化硅非線性放電電阻_電子元器件_電阻器_壓敏電阻器_產品庫_
[圖(tu)文(wen)]2011年8月4日(ri)-現在還有許多公司在用不同的基底(di)(如(ru)藍寶(bao)石和(he)碳化(hua)硅)生產(chan)GaNLED,這些LED該電(dian)路的基本功(gong)(gong)能是產(chan)生低頻、快速、大功(gong)(gong)率(lv)驅動(dong)電(dian)流脈沖信(xin)號,輸出脈沖的。
什么是工頻電流?工頻是什么意思?_工程_技術_科技_機械_天涯問答
2013年7月(yue)22日(ri)-1998年已(yi)有頻率1.3GHz,脈(mo)沖輸出功率400W的報(bao)道[;。2.2碳化硅功率雙極開發碳化硅BJT的主要問(wen)題是提高電流增(zeng)益(yi)。早期6H-SiCBJT的電流增(zeng)益(yi)只有10。
碳化硅微粉磨應用脈沖除塵器凈化環境效果好
脈沖袋(dai)式除塵器,分號(hao)機(ji),粉碎機(ji),氣流磨,青島精華PZ粉碎機(ji)的用(yong)途及適應范(fan)圍:化(hua)工等物科的粉碎,尤其適用(yong)于碳化(hua)硅、剛玉(yu)、石(shi)英(ying)、烙煉石(shi)英(ying)、石(shi)餾石(shi)等物科的粉碎。
詳解大功率藍光LED光源驅動電路設計方案-中國LED網資訊
碳化硅顆粒化學鍍鎳對鐵基復合材(cai)料(liao)性能的影響(xiang)張躍波(bo)1,宗亞(ya)平(ping)1,曹新建1,張龍21.東北大學材(cai)料(liao)各向異性與(yu)織(zhi)構教育部(bu)實驗室沈(shen)陽(yang)1108192.金策工業綜合。