SiC晶片的加工工程_百度知道
SiC單晶材料的(de)(de)硬度及脆性(xing)大,且(qie)化學(xue)穩定(ding)性(xing)好,故如何獲(huo)得(de)高平面(mian)精度的(de)(de)無損傷晶片表面(mian)已成為其廣泛應(ying)用(yong)所(suo)必須(xu)解決的(de)(de)重要問題。本論文采用(yong)定(ding)向切(qie)割晶片的(de)(de)方法(fa),分別研究了。
SiC晶片加工工藝及其對晶片表面的損傷-中國論文下載_上學吧
摘要(yao):SiC單(dan)晶(jing)的(de)材質既硬且脆,加(jia)工難度很大。本文介紹了加(jia)工SiC單(dan)晶(jing)的(de)主(zhu)要(yao)方法,闡述了其加(jia)工原理、主(zhu)要(yao)工藝參數(shu)對加(jia)工精(jing)度及效率的(de)影響,提出了加(jia)工SiC單(dan)晶(jing)片(pian)今后。
SiC單晶片加工技術的發展_百度文庫
SiC機械(xie)密封環表面微織構(gou)激(ji)(ji)光加工(gong)工(gong)藝符永宏(hong)祖權紀敬虎楊東燕符昊摘要:采用聲光調Q二極管泵浦Nd:YAG激(ji)(ji)光器,利用"單脈沖同點間(jian)隔(ge)多(duo)次(ci)"激(ji)(ji)光加工(gong)工(gong)藝,。
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由于SiC硬度非(fei)常高,對單晶后續的加工造(zao)成很多困難(nan),包括(kuo)切(qie)割和磨拋.研究發現(xian)利(li)用圖中(zhong)顏(yan)色較深的是(shi)摻氮條紋,晶體(ti)生長45h.從上(shang)述移動坩堝萬(wan)方(fang)數據812半導(dao)體(ti)。
SiC單晶片加工技術的發展-《新技術新工藝》2009年06期
摘要:SiC陶瓷以其(qi)(qi)優異的(de)(de)(de)性能得(de)到廣泛的(de)(de)(de)應(ying)用(yong),但是其(qi)(qi)難以加工的(de)(de)(de)缺點限制了應(ying)用(yong)范圍。本文對(dui)磨(mo)削方法加工SiC陶瓷的(de)(de)(de)工藝參(can)數進行(xing)了探討,其(qi)(qi)工藝參(can)數為(wei)組合:粒度w40#。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-《排灌機械工程學報》2012
2013年10月(yue)24日-LED半導體(ti)照明網訊日本上(shang)市(shi)公司(si)薩(sa)姆肯(ken)(Samco)發布了新型(xing)晶片盒生產蝕刻系(xi)(xi)統,處理SiC加工(gong),型(xing)號為(wei)RIE-600iPC。系(xi)(xi)統主要應用在(zai)碳化硅功率(lv)儀器平面(mian)加工(gong)。
SiC單晶生長及其晶片加工技術的進展-豆丁網
2013年10月24日-日本上市(shi)公司薩姆肯(Samco)發布(bu)了新(xin)型晶(jing)片盒生產蝕刻(ke)系(xi)統(tong),處理(li)SiC加工,型號為RIE-600iPC。系(xi)統(tong)主要應用在碳化硅功率儀器平面加工、SiCMOS結構槽刻(ke)。
SiC單晶生長及其晶片加工技術的進展-CrystalGrowthandRaw
金剛石(shi)線鋸SiC表(biao)面(mian)裂紋加工質(zhi)量(liang)摘要:SiC是第三代半導體(ti)材料的核(he)心(xin)之一,廣(guang)泛用于(yu)制(zhi)作(zuo)電子(zi)器(qi)件,其加工質(zhi)量(liang)和精度直接(jie)影響到器(qi)件的性(xing)能。SiC晶體(ti)硬度高,。
SiC從外表顏色如何區分其SiC含量的高低-已解決-搜搜問問
采(cai)用(yong)聲(sheng)光調Q二極管泵浦Nd:YAG激(ji)光器,利(li)用(yong)“單脈沖同點(dian)間隔(ge)多次”激(ji)光加工工藝,對碳化硅機械密封試樣(yang)端(duan)面進(jin)行激(ji)光表面微(wei)織構(gou)的加工工藝試驗研(yan)究(jiu).采(cai)用(yong)Wyko-NTll00表面。
SiC陶瓷的磨削加工工藝研究—《教育科學博覽》—2011年第12期—
共找到2754條符合-SiC的查(cha)詢結果(guo)。您(nin)可(ke)以在阿(a)里巴(ba)巴(ba)公司(si)黃(huang)頁搜索到關于-SiC生產(chan)商的工商注(zhu)冊(ce)年份、員工人數(shu)、年營(ying)業額、信(xin)用(yong)記錄(lu)、相關-SiC產(chan)品的供求信(xin)息、交易記錄(lu)。
日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產刻蝕系統
中國供應商免費提供各類sic碳化(hua)硅(gui)批(pi)發(fa),sic碳化(hua)硅(gui)價(jia)格,sic碳化(hua)硅(gui)廠家(jia)信息,您也可以(yi)在這里(li)免費展(zhan)示(shi)銷售(shou)sic碳化(hua)硅(gui),更有機(ji)會(hui)通過各類行業展(zhan)會(hui)展(zhan)示(shi)給需求(qiu)方!sic碳化(hua)硅(gui)商機(ji)盡在。
日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產刻蝕系統-企業新聞-首頁
金剛(gang)石多線(xian)切割設備在SiC晶片加工中的應用ApplicationofMuti-DiamondWireSawtoSliceSiCCrystal查(cha)看全文下載全文導出(chu)添加到引用通知(zhi)分享到。
金剛石線鋸切割SiC的加工質量研究-《山東大學》2010年碩士論文
[圖文]2011年3月17日(ri)-SiC陶瓷與鎳基(ji)高溫合(he)金的熱(re)壓反應燒結連接段輝(hui)平(ping)李樹杰張永剛劉深張艷黨紫九劉登(deng)科(ke)摘要(yao):采(cai)用(yong)Ti-Ni-Al金屬復(fu)合(he)焊料(liao)粉末,利用(yong)Gleeble。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-維普網-倉儲式在線作品
PCD刀具加工(gong)SiC顆粒(li)增強鋁基(ji)復合材料的公道切削速度(du)〔摘要〕通過用掃描電鏡等方(fang)式(shi)檢測PCD刀具的性(xing)能,并與自然(ran)金剛(gang)石的相關參數(shu)進行比(bi)較(jiao),闡(chan)明了PCD刀具的優(you)異性(xing)能。
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石墨(mo)SiC/Al復(fu)合材(cai)料壓力(li)浸(jin)滲(shen)力(li)學性(xing)能加工性(xing)能關鍵詞:石墨(mo)SiC/Al復(fu)合材(cai)料壓力(li)浸(jin)滲(shen)力(li)學性(xing)能加工性(xing)能分類號:TB331正文快照:0前言(yan)siC/。
sic碳化硅批發_sic碳化硅價格_sic碳化硅廠家其他磨具-中國供應商
[圖(tu)文(wen)]2012年11月29日-為了研(yan)究磨(mo)削(xue)工(gong)藝參數對SiC材料磨(mo)削(xue)質量的(de)影響規律,利(li)用(yong)DMG銑磨(mo)加工(gong)做了SiC陶瓷平面磨(mo)削(xue)工(gong)藝實驗,分析研(yan)究了包括(kuo)主軸轉速、磨(mo)削(xue)深度、進給速度在(zai)內的(de)。
金剛石多線切割設備在SiC晶片加工中的應用ApplicationofMuti-
研(yan)究(jiu)方向:微(wei)納(na)(na)設(she)計與加工(gong)技(ji)(ji)術(shu)、SiCMEMS技(ji)(ji)術(shu)、微(wei)能(neng)源技(ji)(ji)術(shu)微(wei)納(na)(na)設(she)計與加工(gong)技(ji)(ji)術(shu)微(wei)納(na)(na)米加工(gong)技(ji)(ji)術(shu):利用深刻(ke)蝕加工(gong)技(ji)(ji)術(shu),開發出適(shi)合(he)于大(da)規模加工(gong)的高精度微(wei)納(na)(na)復合(he)結(jie)。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-大眾科技-道客巴巴
[圖文]SiC晶體(ti)生長和加(jia)工SiC是重要的寬(kuan)禁帶半導體(ti),具有高(gao)熱導率、高(gao)擊穿場強等特(te)性和優勢,是制作高(gao)溫、高(gao)頻、大功率、高(gao)壓(ya)以及抗輻射電子器件的理想材料,在軍工、航天。
SiC是什么材料SiC是一種什么材料啊,他的加工性能怎樣樣?可以鉆孔
介(jie)簡單地(di)介(jie)紹了(le)發光二(er)極管的發展歷(li)程,概述(shu)了(le)LED用(yong)SiC襯底的超精密研磨技術(shu)的現狀及(ji)發展趨勢,闡(chan)述(shu)了(le)研磨技術(shu)的原理、應用(yong)和優勢。同時結合實驗室(shi)X61930B2M-6型。
SiC陶瓷與鎳基高溫合金的熱壓反應燒結連接-加工工藝-機電之家網
2012年6月6日(ri)-磨(mo)(mo)料是用于磨(mo)(mo)削加工(gong)和制做磨(mo)(mo)具的一種基礎(chu)材料,普通(tong)磨(mo)(mo)料種類主要有(you)剛玉和1891年美國卡(ka)不倫(lun)登公(gong)司的E.G艾奇遜用電阻爐人工(gong)合成并發明SiC。1893年。
PCD刀具加工SiC顆粒增強鋁基復合材料的公道切削速度_中國百科網
攪拌摩擦加工SiC復合層(ceng)對鎂合金(jin)摩擦磨損性(xing)能的影響分享到:分享到QQ空間(jian)收藏推(tui)薦鎂合金(jin)是(shi)目(mu)前輕的金(jin)屬結構(gou)材料(liao),具有密度低、比(bi)強度和比(bi)剛度高、阻尼減震(zhen)性(xing)。
易加工儀表級SiC/Al復合材料的性能研究-《第十五屆全國復合材料
綜述了半導體材料(liao)SiC拋光(guang)技術(shu)的發展,介(jie)紹了SiC單晶片CMP技術(shu)的研(yan)究(jiu)現狀,分析了CMP的原理(li)(li)和工藝參(can)數對拋光(guang)的影響,指出了SiC單晶片CMP急待(dai)解(jie)決的技術(shu)和理(li)(li)論問題(ti),并對其。
SiC陶瓷非球面磨削工藝實驗研究-中國磨料磨具網|磨料磨具協會
2005年(nian)在國內率先完成(cheng)1.3m深焦比輕(qing)質非球面反射鏡(jing)的研究(jiu)工作,減重比達(da)到65%,加(jia)工精度優于17nmRMS;2007年(nian)研制成(cheng)功1.1m傳(chuan)輸(shu)型詳查(cha)相機(ji)SiC材料離軸非球面主(zhu)鏡(jing),加(jia)工。
北京大學微電子學研究院
2013年(nian)2月21日(ri)-近日(ri),三菱電(dian)機宣布,開(kai)發(fa)出了能夠一次將(jiang)一塊多(duo)晶碳化(hua)硅(SiC)錠切(qie)割(ge)成40片(pian)SiC晶片(pian)的多(duo)點放電(dian)線(xian)切(qie)割(ge)技術。據(ju)悉,該技術有望提高(gao)SiC晶片(pian)加工的生(sheng)產效(xiao)率,。
SiC晶體生長和加工
加工(gong)圓孔(kong)(kong)孔(kong)(kong)徑范圍(wei):200微(wei)米—1500微(wei)米;孔(kong)(kong)徑精(jing)度(du):≤2%孔(kong)(kong)徑;深寬(kuan)/孔(kong)(kong)徑比:≥20:1(3)飛秒激光數(shu)控機床的(de)微(wei)孔(kong)(kong)加工(gong)工(gong)藝:解決戰略型CMC-SiC耐(nai)高溫材料微(wei)孔(kong)(kong)(直徑1mm。
LED用SiC襯底的超精密研磨技術現狀與發展趨勢Situationand
衛輝(hui)市車船機電(dian)(dian)有(you)限(xian)公(gong)(gong)(gong)司(si)(si)csic衛輝(hui)市車船機電(dian)(dian)有(you)限(xian)公(gong)(gong)(gong)司(si)(si)是(shi)中國(guo)船舶(bo)重工集團公(gong)(gong)(gong)司(si)(si)聯(lian)營是(shi)否提(ti)供加工/定(ding)制(zhi)服(fu)務:是(shi)公(gong)(gong)(gong)司(si)(si)成立(li)時(shi)間:1998年(nian)公(gong)(gong)(gong)司(si)(si)注冊地:河南/。
關于磨料用途與深加工方面的分析和探討-磨料用途,棕剛玉,碳化硅-
[圖文]激(ji)光(guang)加(jia)工激(ji)光(guang)熔(rong)覆陶瓷涂層(ceng)耐(nai)腐(fu)蝕(shi)性極(ji)化(hua)曲線關鍵字:激(ji)光(guang)加(jia)工激(ji)光(guang)熔(rong)覆陶瓷涂層(ceng)耐(nai)腐(fu)蝕(shi)性極(ji)化(hua)曲線采用(yong)激(ji)光(guang)熔(rong)覆技術(shu),在45鋼表面(mian)對含量不同的SiC(質量。
攪拌摩擦加工SiC復合層對鎂合金摩擦磨損性能的影響-《熱加工工藝
●自行研發了SiC晶片(pian)(pian)加(jia)工工藝(yi):選取適當(dang)種類、粒(li)度(du)、級配的磨(mo)(mo)料和(he)加(jia)工設(she)備來切割、研磨(mo)(mo)、拋光、清洗(xi)和(he)封裝的工藝(yi),使產品達到了“即(ji)開(kai)即(ji)用”的水準。圖7:SiC晶片(pian)(pian)。
SiC單晶片CMP超精密加工技術現狀與趨勢Situationand
離軸非(fei)球(qiu)面(mian)SiC反射鏡的(de)精密(mi)銑磨加工技術(shu),張志宇;李(li)銳鋼;鄭(zheng)立(li)功;張學軍(jun);-機械工程學報2013年第(di)17期在(zai)線閱(yue)讀、文章下載。<正;0前言1環繞地球(qiu)軌道(dao)運行的(de)空間。
高精度非球面組件先進制造技術--中國科學院光學系統先進制造
2011年10月25日-加(jia)工電流非(fei)常(chang)小,Ie=1A,加(jia)工電壓為170V時,SiC是加(jia)工的,當Ti=500μs時,Vw=0.6mm3/min。另外,Iwanek還得(de)出了(le)“臨界電火(huo)花加(jia)工限制(zhi)”。
三菱電機研制出多點放電線切割機-中國工業電器網
經營(ying)范圍:陶瓷(ci)軸承(cheng);陶瓷(ci)噴嘴(zui)(zui);sic密封件(jian);陶瓷(ci)球(qiu);sic軸套;陶瓷(ci)生(sheng)產加(jia)工(gong)機械(xie);軸承(cheng);機械(xie)零部(bu)件(jian)加(jia)工(gong);密封件(jian);陶瓷(ci)加(jia)工(gong);噴嘴(zui)(zui);噴頭;行業類(lei)別(bie):計算機產品(pin)。
“數控機床與基礎制造裝備”科技重大專項2013年度課題申報
因此,本文(wen)對IAD-Si膜層的微(wei)觀(guan)結構、表面形貌及抗熱振蕩性(xing)能(neng)進(jin)行了研(yan)究(jiu),這不僅對IAD-Si表面加(jia)工(gong)具有指導意義(yi),也能(neng)進(jin)一步證明(ming)RB-SiC反射(she)鏡表面IAD-Si改性(xing)技術的。